日本沃康valcom壓力傳感器的工作原理

傳感器芯片結構

在硅芯片受壓部（硅膜片）中，與通常的IC制造工序相同，通過雜質(zhì)擴散形成硅量規(guī)。
當壓力施加到硅芯片上時，表電阻根據(jù)撓度變化，并轉(zhuǎn)換為電信號。（磁阻效應）
該量規(guī)的特征在于大的量規(guī)比。（金屬規(guī)格為2-3，硅規(guī)格為10到100）。
結果，可以獲得高輸出，使得可以用厚的膜片來制造，并且改善了壓力傳感器的耐壓性。

目標模型

半導體壓力傳感器
VDP4，VSW2（用于低壓）等

半導體膜片式壓力傳感器的結構和操作說明

半導體膜片式壓力傳感器是與測量介質(zhì)直接接觸的具有高耐蝕性的金屬膜片（相當于Hastelloy C-22，SUS316L等），以及通過壓力傳感器檢測壓力的硅芯片（硅膜片）。密封的硅油。）用于雙隔膜方法。
SUS316L膜片（或等效的Hastelloy C-22）通過壓力入口與測量介質(zhì)直接接觸，并且可以穩(wěn)定地測量未浸入其中的介質(zhì)（空氣，水，油等）。 ）... [當連接螺釘?shù)男螤顬镚3 / 8時，將使用O形圈（氟橡膠）來密封管道。]

特征

• 可以制造可以測量正壓力，負壓力，耦合壓力和絕dui壓力的各種傳感器元件。
• 與介質(zhì)直接接觸的壓力接收元件等效于Hastelloy C-22，并且可以用SUS316L制造，因此具有出色的耐腐蝕性。
• 由于硅芯片的厚膜片可檢測壓力，因此具有出色的耐壓性?

目標模型

半導體膜片式壓力傳感器
VESW，VESX，VESY，VESZ，VHR3，VHG3，VAR3，VAG3，VPRNP，VPNPR，VPNPG，VNF，HS1，HV1，AS1，AV1，NS1，NV1，VESI，VESV，VSW2，VST等。

 應變片式壓力傳感器的結構和操作說明

應變片式壓力傳感器的結構和操作說明

左側(cè)所示的電阻橋安裝在受壓部的金屬膜的背面，將施加壓力時金屬膜的變形量檢測為電壓變化。
由于在金屬膜片表面上有一些應變量大的地方和有應變量小的地方，所以安裝了四個電阻器，即使應變量有偏差，也可以正確地檢測到。

特征

• 焊接和O形圈之間沒有接頭，并且該結構與膜片集成在一起，使其堅固耐用，使用壽命長。
• 高精度和高溫（150℃）兼容的制造成為可能

目標模型

應變片式壓力傳感器
VSD4，NSMS-A6VB，HSSC，HSSC-A6V，VHS，VHST，HSMC2，HSMC，VPE，VPB，VPRT，VPRTF，VPRQ，VPRQF，VPVT，VPVTF，VPVQ，VPVQF，VPRF，VFM，VF ，VFS，VTRF，VPRF2，VPRH2等。

薄膜壓力傳感器的結構和操作說明

薄膜壓力傳感器的結構和操作說明

我們的薄膜壓力傳感器使用隔膜型，并使用金屬規(guī)格的薄膜。當從壓力入口施加壓力時，膜片變形，并且檢測到由在膜片上形成的金屬規(guī)格薄膜的變形引起的電阻變化。
它具有比應變儀型壓力傳感器更高的靈敏度輸出，并且比半導體型壓力傳感器具有更低的溫度系數(shù)的特性。

特征

• 恒定的溫度系數(shù)，具有非常好的溫度特性
• 可以長時間獲得穩(wěn)定的輸出，并且隨時間變化很小。
• 可以承受高溫（200°C）

目標模型

VSW2

測量原理

當在金屬量規(guī)薄膜上施加壓力并且在輸入端有電流流動時發(fā)生變形時，它表現(xiàn)為輸出側(cè)電信號的變化。