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射頻/直流磁控濺射設(shè)備納米PVD-S10A的基本性能優(yōu)勢
射頻/直流磁控濺射設(shè)備納米PVD-S10A的基本性能優(yōu)勢
高性能射頻/直流磁控濺射設(shè)備。 雖然它很小，但它是一種滿足追求高性能的用戶的設(shè)備，不允許在薄膜質(zhì)量上妥協(xié)，例如一般金屬薄膜，絕緣體和化合物。 它還支持多達 3 源陰極、多層連續(xù)薄膜和同步沉積（*僅限射頻和直流組合）的應用。 選項包括加熱器、旋轉(zhuǎn)和提升、磁性材料的陰極以及帶電容壓力計的高精度壓力控制。
優(yōu)異的基本性能
極限真空 5x10-5 帕斯卡
SUS304 高真空室
快速真空到達（約1分鐘至10x3-10Pa）
膜均勻性：±3%（絕緣膜），±5%（金屬膜）
高性能系統(tǒng)
7“ 觸摸屏，用于集中管理所有操作、薄膜沉積控制和數(shù)據(jù)管理
自動連續(xù)多層沉積控制
同步薄膜沉積（*射頻-直流、直流-直流同步雙源沉積）
APC 控制（PID 自動壓力控制）
PLC自動排序（抽真空，排氣）操作
很多選擇
電路板旋轉(zhuǎn)，向上/向下仰角
PCB加熱加熱器500°C
MFC x 3 應變（Ar、O2、N2）反應濺射
用于磁性材料的高強度磁鐵選項
快速排氣（至少 6 分鐘）
高精度Φ2英寸磁控管陰極（最多3個源）
直流、射頻、脈沖直流
易于更換目標
傾斜角度
多達 3 種工藝氣體系統(tǒng)：還兼容反應飛濺
通過 7“ 觸摸屏集中管理壓力和流量設(shè)置
標準 Ar 1 系統(tǒng)，可擴展至 N2 和 O2
精密過程壓力控制選項
控制軟件“智能"
直觀的操作
通過 7 英寸觸摸屏集中管理所有設(shè)置
USB 到 Windows PC、CSV 和日志數(shù)據(jù)輸出
多達 1000 層、1000 個進程、50 個配方創(chuàng)建注冊
產(chǎn)品目錄
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